南京师范大学学报（工程技术版）
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作者中包括
Kim C S
的文章
1
SOI嵌入式DRAM技术动态钳制电位DTMOS器件性能的优化设计(英文)
Kim C S
1
, Burke F
1
, Rambhatla A
1
, 赵阳
1, 3
, Zahurak J
3
, Parke S A
1
2003年04期 [59－62][
摘要
](
2519
)
[
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163KB]
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3339
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