南京师范大学学报（工程技术版）
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作者中包括
Parke S A
的文章
1
基于0.15微米SOI嵌入式DRAM技术的动态钳制电位DTMOS器件源极与漏极的优化设计(英文)
Burke F
1
, Rambhatla A
1
, Zahurak J
2
, Parke S A
1
2003年04期 [63－65][
摘要
](
2597
)
[
pdf
145KB]
(
3393
)
2
SOI嵌入式DRAM技术动态钳制电位DTMOS器件性能的优化设计(英文)
Kim C S
1
, Burke F
1
, Rambhatla A
1
, 赵阳
1, 3
, Zahurak J
3
, Parke S A
1
2003年04期 [59－62][
摘要
](
2520
)
[
pdf
163KB]
(
3340
)
3
一种克服SOI MOSFET器件自加热效应的方法(英文)
Parke S A
1
, Cole Bryan
1, 2
2003年04期 [55－58][
摘要
](
1616
)
[
pdf
479KB]
(
3508
)
4
寻求最终亚-50纳米CMOS器件结构(英文)
Rambhatla A
1
, Hackler D R
2
, Parke S A1
2003年04期 [51－54][
摘要
](
1611
)
[
pdf
438KB]
(
3279
)